本院施敏院士於今（2023）年 11 月 6 日於美國辭世，享壽 87 歲。

施敏院士為全球極具影響力的半導體元件物理及製程技術權威，於 1967 年發現「浮閘記憶體效應」（Floating-gate memory effect），並製作出第 1 個非揮發性記憶體（Non-volatile semiconductor memory， NVSM），對當代電子產品及未來創新科技扮演重要角色。施院士著作等身，所撰之《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices），曾翻譯成多種語言，為當代工程及應用科學領域之經典，被視為半導體界必讀的「入門聖經」。

施院士於 1963 年取得美國史丹佛大學電機系博士，1963 年至 1989 年任職於貝爾實驗室，期間曾多次返臺授課，後自 1990 年起服務於國立交通大學。1998 年出任國家實驗研究院國家奈米元件實驗室主任與工業技術研究院前瞻技術指導委員會委員，2004 年起擔任國家實驗研究院國家奈米元件實驗室（現為台灣半導體研究中心）資深顧問，為臺灣半導體產業重要推手。施院士亦曾任本院第 16 屆及第 25 屆評議員，對本院學術研究發展，助力甚深。

施院士為國立交通大學榮譽講座教授，學術成就卓越，曾獲頒 IEEE J.J. Ebers 獎、行政院傑出科技榮譽獎、2 屆教育部國家講座、美國 Flash Memory Summit 終身成就獎、IEEE 尊榮會員及未來科學大獎數學與計算機科學獎；為 IEEE 會士、美國國家工程院士、中國工程院外籍院士、工研院院士，於 1994 年獲選為本院第 20 屆院士。
 

（照片由工業技術研究院提供）