本院馬佐平院士於今（2021）年4月6日於美國辭世，享壽75歲。

馬佐平院士為半導體物理及科技領域先驅，亦對臺灣半導體產業及電子業貢獻良多。馬院士於1974年取得耶魯大學博士後，進入IBM從事研究工作，1977年起於耶魯大學任教，期間兩度出任電機工程系主任，對推動研究及人才培養不遺餘力。

馬院士研究領域包含半導體、積體電路、前緣記憶儲存科技及電晶體材料等，皆有傑出貢獻。其首倡以氮化矽作為MOS柵介質來取代二氧化矽，為往後高介質常數柵的介質研究帶來重要啟發，帶領半導體科技領域開創嶄新時代。除了學術研究，30多年來馬院士經常往返美國與臺灣講學及與國內產業界進行研究交流，也曾擔任台積電與旺宏電子顧問逾10年，培育出許多具影響力的優秀人才。

馬院士為美國國家工程院院士、美國電機及電子工程學會（IEEE）Fellow，並於2005及2008年分別獲頒IEEE「葛洛夫」獎及美國康乃狄克科技勳章等殊榮。於2012年當選為本院第29屆院士。