本院胡正明院士於今(2019)年12月獲國際電機電子工程師學會(Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE)頒給2020榮譽獎章(IEEE Medal of Honor),表揚他在電晶體尺寸及性能研發上的重大貢獻。

胡院士發明了三維「鰭型電晶體」(FinFET)、以及「完全空乏型電晶體」(FD-SOI),這兩個重大的革命性創新為半導體帶來新契機,之後多家科技大廠皆採用了FinFET技術,成功讓晶圓的尺寸可以縮得更小。胡院士曾擔任台積電首任技術長,獲選美國國家工程院院士、IEEE院士、世界科學院院士;2016年獲美國總統歐巴馬頒給美國國家技術與創新獎章,同年11月獲頒我國工業技術研究院院士。胡院士現為美國加州大學柏克萊分校教授、國立交通大學教授,於2004年當選為本院第25屆院士。

IEEE榮譽獎章是國際電機電子工程師學會的最高榮譽,每年只選出一名得獎者,是電機電子學界的重大榮耀。半導體之父、台積電創辦人張忠謀曾於2011年獲得該項榮譽。

(秘書處)